全部作者：赵弘鑫 程秀兰第1作者单位：中芯国际集成电路制造有限公司论文摘要：在半导体制造工艺的干法刻蚀（Dry Etching）中，对于刻蚀薄膜表面面积大小的差异性会造成负载效应（Loading effect）。然而这种负载效应影响到干刻蚀的蚀刻率（Etch Rate）和选择比(Selectivity)而在产品上出现严重的缺陷。本文阐述了负载效应的基本原理和造成选择比差异性的'成因以及对于由此产生产品缺陷的具体解决方案。关键词：半导体制造，干法刻蚀，负载效应，选择比，缺陷 (浏览全文)发表日期：2008年04月30日同行评议：
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