一,填空1,集成电路的分类,按材料,工艺2,集成电阻的计算,以及其制造工艺3,Vtp,Vtn的正负判断,分别对于增强型和耗尽型4,CMOS电路功耗包括哪两个部分,功耗设计主要考虑的因素……(还有几道不记得了)二,填表全定制,门阵列,FPGA各自单元模块,连线的'性质……三,填图CMOS工艺流程填图画图四,问答1,CMOS单元负载较大的电容时,只有提高W,这样会使W*L增加,相对前级又时一个大电容,如何解决这一矛盾?2,结合软件谈谈全定制集成电路设计流程3,谈谈对Layout设计的看法五,翻版图或者画版图,选一第二卷1,什么时格雷码?2,Nyquist采样定例3,球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功4,运算放大器1,…………2,有几级,各级之间耦合方式有几种,分析各种的优劣。 |
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