笔经B
笔试经验： 笔试分两部分 第一部分为技术测试，第二部分为英语 第一部分 约10题（凭记忆写吧），时间30分钟（根本来不及做） 1.简单c代码，写输出结果 延时问题，比如1000um为50ps， 2000um延迟是多少，10个1000um串连是多少，中间 加上BUFFER又是多少？ 树延迟问题，给出R，C的`值和驱动电平，求RC电路的延时，两级RC电路的延时 4.画CMOS反向器结构图 标出个部分区域如N ,N-,Metal，Channel, Nwell，substrate,po ly-silicon etc 5.画与非门电路和layout，棍图 6.两个D触发器和一级buffer组成同步电路给个若干时序数据比如 buffer延时，tsetup thold，组合逻辑延时，时钟SKEW。 算总延时，以及和时钟频率的关系，需要满足的条件 (setup,hold) 7，两个管子串联，vdd接上管g，d和下管g ，下管s接地，上管s和下管d相连作输出vout， 求vout 8.3个反相器串联，给出最前面一个和最后面一个反相器P管和N管的宽长比，问中间的反向 器P管和N管的宽长比，使得整个电路延迟最小 9.两个电容并联，给出C值，一个电容给另外一个放电，问最终电容上的电压。 第二部分，20分钟 英文作文（200字），你认为从项目中学习知识重要还是从书本学习重要？