奇码笔试真题(一)
第一卷
一，填空
奇码笔试1，集成电路的分类，按资料，工艺
奇码笔试2，集成电阻的计算，以及其制造工艺
奇码笔试3，Vtp，Vtn的正负判别，分别关于加强型和耗尽型
奇码笔试4，CMOS电路功耗包括哪两个局部，功耗设计主要思索的要素
二，填表
全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的'性质
三，填图
CMOS工艺流程填图画图
四，问答
奇码笔试1，CMOS单元负载较大的电容时，只要进步W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何处理这一矛盾?
奇码笔试2，分离软件谈谈全定制集成电路设计流程
奇码笔试3，谈谈对Layout设计的见地
五，翻幅员或者画幅员，选一
第二卷
奇码笔试1，什么时格雷码?
奇码笔试2，Nyquist采样定例
奇码笔试3，球一米高落下，每次探起一半，求路途和重力做功
奇码笔试4，运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，剖析各种的优劣。