全部作者：陈茜 谢泉 闫万珺 杨创华 赵凤娟第1作者单位：贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州大学电子科学与信息技术学院，论文摘要：采用基于第1性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0.2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数1(0)=18.89；折射率 =4.3460；吸收系数最大峰值为356474.5cm-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。关键词：Mg2Si；第1性原理；电子结构；光学性质 (浏览全文)发表日期：2007年06月19日同行评议：
本文利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Mg2Si的电子结构和光学性质进行计算所得到地结果，有1定的学术价值。尽管这项研究工作国外已经有较多开展，但在从国内人才培养的角度看，还是很有意义的。
