全部作者：许姗 童敏明 李雪花 杨礼现第1作者单位：中国矿业大学信息与电气工程学院论文摘要：本文通过研究氢离子敏场效应传感器（H+-ISFET）的物理化学结构特性得到它的温度特性，总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺点，提出了5种抑制温度漂移的方法，使得温度补偿后的H+-ISFET有了较好的温度特性。关键词：氢离子敏场效应传感器，H+-ISFET，温度特性，温度补偿 (浏览全文)发表日期：2007年07月09日同行评议：
该文通过分析氢离子敏场效应传感器的特点，传感器的温度漂移，提出了几种抑制温度漂移的方法，具有1定的'参考意义。如有实验数据的支持则更好1些。比如补充1些温漂的实际改善情况的数据则更有说服力
